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?FRAM技術(shù)簡介
成熟的半導(dǎo)體存儲技術(shù)分為兩類：1 RAM是隨機存取存儲器，具有對稱的讀寫訪問時間。2 非易失性存儲器，傳統(tǒng)上一直是ROM（只讀存儲器），直
2020-12-23
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?內(nèi)存技術(shù)詞匯表
內(nèi)存是計算機的重要部件之一。它是外存與CPU進(jìn)行溝通的橋梁，計算機中所有程序的運行都在內(nèi)存中進(jìn)行。內(nèi)存性能的強弱影響計算機整體發(fā)揮的
2020-12-21
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非易失性存儲器NV-SRAM的關(guān)鍵屬性
NV-SRAM具有以下優(yōu)點，可以滿足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應(yīng)用中的非易失性緩存實施?？焖僭L問：系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的
2020-12-17
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SRAM的基本原理
SRAM不存在刷新的問題。一個SRAM基本存儲單元融個晶體管和兩個電阻器構(gòu)成,它并不利用電容器來存儲數(shù)據(jù)，而是通過切換晶體管的狀態(tài)來實現(xiàn)的
2020-12-15
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MCU漲價的主要因素還得從供需來看
首先需求方面來說，疫情導(dǎo)致在線教育與辦公需求增長，導(dǎo)致對應(yīng)的驅(qū)動IC、電源管理IC及功率元件需求增長，而一季度之后，疫情得到有效遏制，
2020-12-11
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NAND FLASH系統(tǒng)的權(quán)衡利弊
NAND FLASH是一種大眾化的非易失性存儲器，主要是因為小型和低功耗且堅固耐用。盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時
2020-12-09
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