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非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)
在嵌入式系統(tǒng)中,F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過多種不同的串行協(xié)議(包括SPI或串行外圍設(shè)備接口)來
2021-01-28
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Nand Flash控制器將上漲約15~20%
集邦咨詢:上游晶圓代工產(chǎn)能緊缺,NandFlash控制器將上漲約15~20%根據(jù)集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查顯示,受限于上游臺積電與聯(lián)電等晶圓代
2021-01-26
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MRAM實(shí)現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點(diǎn),同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器,因此有可能會贏得巨大的市
2021-01-22
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將賽普拉斯nvSRAM替換為MRAM
本章節(jié)對賽普拉斯 4 Mbit(256K x 16)nvSRAM 和 MRAM器件分別在 44 引腳 TSOP-II(薄小外型封裝-II 類型)和 48球型焊盤 FBGA
2021-01-20
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?ISSI代理stm32擴(kuò)展sram芯片IS62WV51216EBLL
IS62WV51216EBLL是高速8M位sram,組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù),可生產(chǎn)出
2021-01-15
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帶有ECC的異步SRAM存儲器適用于各種應(yīng)用
賽普拉斯憑借可服務(wù)于各種高可靠性工業(yè),通信,數(shù)據(jù)處理,醫(yī)療,消費(fèi)和軍事應(yīng)用的性能,快速SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與老一代
2021-01-13
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