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ST-MRAM磁隧道結(jié)寫入方式
自旋轉(zhuǎn)移矩依靠電流實現(xiàn)磁化翻轉(zhuǎn)，寫入電流密度大概在106~107A cm2之間，而且寫入電流的大小可隨工藝尺寸的縮小而減小，克服了傳統(tǒng)磁場寫入方式的缺點，因而被廣泛認為是實現(xiàn)磁隧道結(jié)的純
2020-03-03
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基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計
基于SMIC 28nm工藝節(jié)點仿真結(jié)果顯示,新型10T單元結(jié)構(gòu)在電源電壓為1 05V時,和傳統(tǒng)6T單元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同時,在單元讀寫操作時,錯誤率較低。
2020-02-28
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新型非易失性MRAM優(yōu)勢
MRAM（磁性存儲器）是一種非易失性存儲器。MRAM技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非易失性，容量密度及使用壽命不輸
2020-02-26
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SPI FLASH讀寫介紹
對flash芯片的操作，一般包括對flash芯片的擦除，編程和讀取，各大廠商的SPI flash芯片都大同小異，操作命令基本是沒什么變化的，當我們拿到一款芯片，要特別注意芯片的容量，操作分區(qū)等。
2020-02-24
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如何對外擴SRAM進行讀寫
如何對SRAM進行讀寫使用指針的方法進行讀寫不需要寫讀寫函數(shù)，可以直接使用指針的方式對STM32的內(nèi)存地址進行訪問。（1）首先要定義SRAM的基
2020-02-20
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ISSI 4Mbit鎖存式SRAM
ISSIIS61 64WV25616LEBLL是高速，低功耗4M位鎖存的靜態(tài)RAM，組織為256K字乘以16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的，并實現(xiàn)了ECC功能
2020-02-18
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