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選擇MRAM的理由
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以
2020-04-07
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兆易創(chuàng)新MCU GD32F3系列詳情
GD32F3系列最高主頻可達(dá)120MHz并支持DSP指令運算。配備了128KB到3072KB的超大容量Flash及48KB到96KB的SRAM，內(nèi)核訪問閃存高速零等待。
2020-04-02
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三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲器供應(yīng)商
韓國三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬個極紫外光刻技術(shù)（EUV）生產(chǎn)的業(yè)界首款10納米級DDR4 DRAM模組，將為高端PC和移動設(shè)備及企業(yè)服務(wù)器和資
2020-03-31
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靈動微MM32W073NTB防疫血氧儀應(yīng)用解決方案
靈動微電子是國內(nèi)具有一定名氣的MCU產(chǎn)品與應(yīng)用方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，目前基于ARM Cortex-M0及Cortex-M3 內(nèi)核的MCU產(chǎn)品包括了針對通用高性能
2020-03-27
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意法半導(dǎo)體MCU將IoT功能提升新高度
智慧城市提供的服務(wù)越來越多，而用于收費的服務(wù)也逐漸增多。隨著城市物聯(lián)網(wǎng)(IoT)基礎(chǔ)設(shè)施不斷擴(kuò)展，當(dāng)?shù)仄髽I(yè)自然而然地也開始加以利用。在
2020-03-25
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帶ECC的CMOS汽車異步SRAM
ISSI IS61 64WV5128EDBLL是高速，4,194,304位靜態(tài)RAM，組織為524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合，可提供高性能和高性能低功耗設(shè)備。
2020-03-23
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