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串行Serial SRAM
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串行存儲(chǔ)器芯片（Serial SRAM）串行存儲(chǔ)器芯片（Serial SRAM）

串行Serial SRAM為了滿足更小管腳的設(shè)計(jì)跟更小PCB板尺寸而衍生出來的一款存儲(chǔ)器;
存儲(chǔ)器在高速性能并非最重要因素的其它存儲(chǔ)器（DRAM、閃存等）中，串行接口已經(jīng)取代了并行接口;
在SRAM市場中一直處于小眾地位，在空間非常有限的特定應(yīng)用中，它們一直是低功耗、小尺寸替代方案;

vtiVTI科技公司主要以低功耗SRAM芯片產(chǎn)品為主，,以下產(chǎn)品為串行Serial SRAM存儲(chǔ)芯片，屬于靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為128Kbit/256Kbit/512Kbit/32/64Mb，最大容量為64Mb，電壓范圍在1.8V/3V/3.3V.，封裝為8-SOIC TSSOP-8，速度在20/130Mhz，我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價(jià)比高且實(shí)用的產(chǎn)品。
型號(hào) 容量 位寬 電壓(V) 速度(MHz) 接口 溫度 封裝 包裝 狀態(tài) PDF
VTI7064LSM 64Mbit 8M x 8 1.8 104 SQI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7064LSM 64Mbit 8M x 8 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7064MSM 64Mbit 8M x 8 3 104 SQI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7064MSM 64Mbit 8M x 8 3 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7032LSM 32Mbit 4M x 8 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7032LSM 32Mbit 4M x 8 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7016LSM 16Mbit 2M x 8 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7016LSM 16Mbit 2M x 8 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7001NSM 1Mbit 128K x 8 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7001LSM 1Mbit 128K x 8 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7512NSM 512Kbit 64K x 8 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7512LSM 512Kbit 64K x 8 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7256NSM 256Kbit 32K x 8 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7256LSM 256Kbit 32K x 8 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7128LSM 128Kbit 16K x 8 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們
VTI7128NSM 128Kbit 16K x 8 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC Tube，T&R MP 聯(lián)系我們

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