串行偽靜態(tài)存儲器芯片（SPI PSRAM）
只需要SPI接口或者QPI接口，就可以簡簡單單實現(xiàn)SRAM的擴展;
比SDRAM容易使用，功耗也低很多;
容量為64Mbit/32Mbit/16Mbit,封裝為SOP-8;
只需要SPI接口或者QPI接口，就可以簡簡單單實現(xiàn)SRAM的擴展;
比SDRAM容易使用，功耗也低很多;
容量為64Mbit/32Mbit/16Mbit,封裝為SOP-8;
以下產(chǎn)品的容量范圍為16/32/64Mb，常用容量為32/64Mb，電壓范圍在1.8V/3.3V，標準SPI器件，其讀寫命令和SPI NOR基本一樣,我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品。完美解決智能硬件開會者對額外RAM空間的需求，并同時實現(xiàn)小型化、低成本目標。多應用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、智能硬件、故事機、智能語音設備等| 型號 | 容量 | 電壓 | 速度 | Serial I/O | Isb | 溫度 | 封裝 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LY68S6400 | 64M | 1.8V | 143 | 1 or 4 | 200uA | -40~85°C | SOP8 or Contact Us | 聯(lián)系我們 |
| LY68L6400 | 64M | 3.3V | 100 | 1 or 4 | 200uA | -40~85°C | SOP8 or Contact Us | 聯(lián)系我們 |
| LY68L6408 | 64M | 3.3V | 266 | 8 | 200uA | -40~85°C | 20 QFN | 聯(lián)系我們 |
| LY68S6408 | 64M | 1.8V | 400 | 8 | 200uA | -40~85°C | 20 QFN | 聯(lián)系我們 |
| LY68S3200 | 32M | 1.8V | 100 | 1 or 4 | 150uA | -40~85°C | SOP8 or Contact Us | 聯(lián)系我們 |
| LY68S1600 | 16M | 1.8V | 143 | 1 or 4 | 20uA | -40~85°C | SOP8 or Contact Us | 聯(lián)系我們 |
| LY68L1600 | 16M | 3.3V | 100 | 1 or 4 | 20uA | -40~85°C | SOP8 or Contact Us | 聯(lián)系我們 |
