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存儲(chǔ)器芯片的多種封裝技術(shù)
存儲(chǔ)器芯片的封裝有多種選擇，包括從引腳數(shù)少、外形小的SOP封裝到引腳數(shù)多的硅通孔(TSV)等各種封裝技術(shù)，而這些技術(shù)的選擇取決于密度、性能
2017-12-06
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存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)年均增長(zhǎng)9%
存儲(chǔ)器行業(yè)正處于飛速增長(zhǎng)的階段。Yole在其《2017年存儲(chǔ)器封裝市場(chǎng)與技術(shù)》報(bào)告中預(yù)計(jì)，2016~2022年整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率約為9%，到2022將達(dá)到1350億美元，DRAM和NAND市場(chǎng)份額共計(jì)占約95%
2017-12-06
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存儲(chǔ)器芯片景氣或觸頂
摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲(chǔ)器芯片獲利或?qū)㈦y以繼續(xù)增長(zhǎng)為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評(píng)等自“加碼”降至“中性權(quán)重”，目標(biāo)價(jià)下調(diào)3 4%至280萬韓元。大摩
2017-12-05
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RAM ROM SRAM DRAM 四種存儲(chǔ)器的優(yōu)缺點(diǎn)
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按照需求隨便取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使
2017-12-05
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DDR5芯片與DDR、GDDR、LPDDR的對(duì)比
2017年3月，JEDEC協(xié)會(huì)宣布將在2018年正式發(fā)布DDR5的技術(shù)規(guī)范。目前，DDR5的規(guī)范制定已經(jīng)到0 5版本，會(huì)在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍，單顆粒容量可達(dá)32Gb，并預(yù)計(jì)會(huì)在2020年開始商用。
2017-12-04
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單片機(jī)的片內(nèi)存儲(chǔ)器跟片外存儲(chǔ)器的詳解
存儲(chǔ)器是單片機(jī)的又一個(gè)重要組成部分，下圖展示了一種存儲(chǔ)容量為256個(gè)單元的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)示意圖。其中每個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)一個(gè)地址，256個(gè)單元共有256個(gè)地址，用兩位16進(jìn)制數(shù)表示，即存儲(chǔ)器的
2017-12-04
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