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半導(dǎo)體需求將超乎預(yù)期
半導(dǎo)體資深評(píng)論家陸行之認(rèn)為：半導(dǎo)體后市仍看俏。
2017-12-25
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賽普拉斯推出物聯(lián)網(wǎng)MCU-PSoC 6
近日，賽普拉斯宣布其采用40nm工藝的PSoC 6芯片計(jì)劃在今年年底明年年初量產(chǎn)，滿足智能穿戴、智能門(mén)鎖等物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的高性能和低功耗需求。
2017-12-20
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國(guó)產(chǎn)3D閃存SSD明年量產(chǎn)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3DNAND芯片順利通過(guò)電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測(cè)試，達(dá)到預(yù)期要求。預(yù)計(jì)2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并于2019年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載。
2017-12-19
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今年半導(dǎo)體銷(xiāo)售額將首次達(dá)到4000億美元
市場(chǎng)受到內(nèi)存產(chǎn)品需求旺盛的推動(dòng)持續(xù)增長(zhǎng)，同時(shí)其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的綜合銷(xiāo)售也大幅增長(zhǎng)，今年市場(chǎng)的強(qiáng)勁幅度大家有目共睹。
2017-12-19
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明年蘋(píng)果和三星有望引領(lǐng)7nm芯片制造
據(jù)報(bào)道，因?yàn)槌杀締?wèn)題，2018年應(yīng)該只有蘋(píng)果和三星這兩家智能手機(jī)廠商和有望引領(lǐng)7nm芯片制造，推出采用7nm芯片處理器的智能手機(jī)。
2017-12-18
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比NOR和NAND閃存快千倍的ReRAM在中國(guó)量產(chǎn)
內(nèi)存芯片設(shè)計(jì)公司Crossbar利用中芯國(guó)際的40納米工藝，成功做到ReRAM芯片量產(chǎn)，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫(xiě)入速度比NAND閃存快1000倍。
2017-12-18
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