工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展，對數(shù)據(jù)鏈上如數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)記錄、數(shù)據(jù)處理等各個(gè)環(huán)節(jié)的應(yīng)用提出了更高的要求。對于智能電表而言，數(shù)據(jù)記錄及存儲需要考慮準(zhǔn)確記錄、非易失性、耐久度等多個(gè)方面的需求。因此智能電表方案商需考慮挑選合適的存儲產(chǎn)品予以應(yīng)對。富士通FRAM在需要準(zhǔn)確記錄和存儲智能電表重要數(shù)據(jù)的應(yīng)用中、發(fā)揮著關(guān)鍵作用。例如電表使用的重要數(shù)據(jù)，需要在非常短的間隔(1-3次/秒)里保存在存儲器，并確保掉電情況下數(shù)據(jù)依然完整。
     
以256Kb獨(dú)立FRAM存儲器為例，每寫入1Byte數(shù)據(jù)，所需時(shí)間僅為150ns。因此富士通FRAM在智能電表應(yīng)用中帶來了關(guān)鍵的優(yōu)勢：掉電保護(hù)重要數(shù)據(jù)。國家電網(wǎng)公司也有規(guī)定，重要數(shù)據(jù)必須以1次/秒的頻率實(shí)時(shí)記錄到存儲器，按照智能電表10年運(yùn)行周期來計(jì)算，存儲器需達(dá)到寫入次數(shù)為：1*60*60*24*365*10=3.2億次。當(dāng)前單片F(xiàn)RAM寫入次數(shù)壽命高達(dá)10萬億次，而EEPROM僅有百萬次。顯然選用高速、高讀寫耐久性的富士通FRAM能夠滿足數(shù)據(jù)寫入性的要求，并在掉電或者其它異常情況發(fā)生時(shí)，能確保重要數(shù)據(jù)的完整記錄，從而確保電力產(chǎn)業(yè)的準(zhǔn)確收費(fèi)。富士通FRAM在智能電表行業(yè)已深耕10年之久，內(nèi)置有富士通FRAM的智能電表是當(dāng)前電力公司所追求的理想解決方案，為智能電表行業(yè)提供高性能、高可靠的存儲方案。
 
在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，企業(yè)與消費(fèi)者對數(shù)據(jù)保密與安全的認(rèn)知進(jìn)一步提升。若遇到黑客違法盜取及分析電表的機(jī)密數(shù)據(jù)，將導(dǎo)致大范圍的信息泄露。對此富士通FRAM賦予了智能電表應(yīng)用的另一優(yōu)勢，就是防止黑客盜竊或篡改數(shù)據(jù)。當(dāng)黑客的篡改事件發(fā)生時(shí)，低功耗和高速的FRAM可以利用給RTC供電的小型電池電源，瞬間消去重要數(shù)據(jù)，從而確保電力用戶的信息安全。例如FRAM僅需0.1mA的工作電流，就能夠在0.3ms的時(shí)間內(nèi)擦除256bit的數(shù)據(jù)，相比EEPROM擁有顯著的優(yōu)勢。