隨著企業(yè)固態(tài)硬盤(SSD)在系統(tǒng)性能和更小的外形尺寸方面不斷突破極限，SSD解決方案提供商面臨著更大的挑戰(zhàn)。需要提高密度、耐用性、性能并添加重要的新功能，同時(shí)還要繼續(xù)保護(hù)傳輸中的數(shù)據(jù)免受電源故障的影響。
 
作為克服現(xiàn)有基于NAND閃存的SSD局限性的解決方案，Everspin MRAM提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可用于通過提供高速非易失性存儲(chǔ)來提高SSD的系統(tǒng)性能和可靠性飛行數(shù)據(jù)。通過添加STT-MRAM來補(bǔ)充或替換SSD控制器的DDR總線上的易失性DRAM，SSD控制器現(xiàn)在可以將這種高速非易失性存儲(chǔ)器用于寫入緩沖區(qū)和任何其他傳輸中以前易失性的關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
 
對(duì)于企業(yè)級(jí)SSD來說，電源管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)很重要。系統(tǒng)必須檢測(cè)電源故障，將驅(qū)動(dòng)器與主機(jī)隔離，并為驅(qū)動(dòng)器提供足夠的能量存儲(chǔ)，以允許將任何傳輸中的數(shù)據(jù)提交到非易失性存儲(chǔ)器，以保證數(shù)據(jù)完整性。完成此操作所需的保持能量與傳輸中的數(shù)據(jù)量、非易失性存儲(chǔ)器的速度和系統(tǒng)的功耗成正比。這種保持能量存儲(chǔ)提供的時(shí)間量可以被視為電源故障窗口或在保持能量耗盡之前可用于存儲(chǔ)不受保護(hù)的數(shù)據(jù)的時(shí)間。
 
為了支持由不同內(nèi)存類型的獨(dú)立列組成的異構(gòu)DDR架構(gòu)，理想情況下，SSD控制器中包含的DDR控制器需要支持處理STT-MRAM的不同時(shí)序和尋址要求，以獲得最佳性能。SSD控制器還必須采用額外的邏輯來正確管理DDR控制器緩沖區(qū)中的少量駐留數(shù)據(jù)，以確保將管道刷新到STT-MRAM并在斷電之前關(guān)閉STT-MRAM中的任何打開頁面.


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