Everspin存儲芯片MR25H10是一個(gè)1048576位的磁阻隨機(jī)存取存儲器（MRAM）設(shè)備，被組織為8位的131072個(gè)字。MR25H10提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫定時(shí)，無寫延遲，讀/寫持久性無限制。與其他串行存儲器不同，讀取和寫入都可以在存儲器中隨機(jī)發(fā)生，寫入之間沒有延遲。是必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序的理想內(nèi)存解決方案。
 
    MR25H10封裝DFN8封裝或DFN Small Flag封裝。兩者都兼容串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品?？稍诟鞣N溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供工業(yè)級（-40℃至+85℃）和AEC-Q100 1級（-40℃至+125℃的）工作溫度范圍選項(xiàng)。
 
    特點(diǎn)
    •無寫入延遲
    •無限制的寫入續(xù)航能力
    •數(shù)據(jù)保留期超過20年
    •斷電時(shí)的自動數(shù)據(jù)保護(hù)
    •塊寫入保護(hù)
    •快速、簡單的SPI接口，時(shí)鐘頻率高達(dá)40 MHz
    •2.7至3.6伏電源范圍
    •低電流睡眠模式
    •工業(yè)溫度
    •可提供符合RoHS的8引腳DFN或8引腳DFN-Small Flag包裝
    •直接替換串行EEPROM、閃存、FeRAM
    •AEC-Q100 1級選項(xiàng)

本文關(guān)鍵詞：MR25H10,MRAM

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