MRAM在邊緣方面展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢。邊緣計算在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、機器人、可穿戴設備、人工智能、汽車以及便攜式設計等領域的應用正在不斷增長。伴隨著這些增長的是大家對高速、低延遲、非易失性、低功耗、低成本內存（用于程序存儲和數(shù)據(jù)備份）的需求。
 
    雖然有許多可用方案，包括SRAM、DRAM、閃存等,但這些技術都需要在一個或多個領域進行權衡，這對于邊緣計算來說，它們似乎都不太適合。MRAM將數(shù)據(jù)存儲在磁存儲單元中，提供真正的隨機訪問，并允許在內存中隨機讀寫。此外，MRAM結構和操作具有低延遲、低泄漏、高寫入周期數(shù)和高保持率等特點，而這些恰恰都是邊緣計算非常需要的。
 
    此外，MRAM是實現(xiàn)存算一體的理想存儲器之一。到目前為止，多種存儲器介質被研究用于構建存算一體系統(tǒng)。SRAM和DRAM是易失性器件，頻繁的刷新并不利于降低功耗。而Flash雖然是非易失性的，但是隨著讀寫次數(shù)增加，浮柵氧化層會逐漸失效，反復讀寫可靠性很低。因此，各種基于電阻改變的新型存儲器是實現(xiàn)存算一體的有效載體。
 
    MRAM則是基于對電子“自旋”的控制，可以達到理論上的零靜態(tài)功耗，同時具有高速和非易失性以及近乎無限的寫入次數(shù)。MRAM在速度、耐久性、功耗這些方面具有不可替代的優(yōu)越性。因此，MRAM是實現(xiàn)存算一體的理想存儲器之一。


本文關鍵詞：MRAM

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