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DRAM內(nèi)存供不應(yīng)求,缺貨漲價(jià)將成為常態(tài)

來源: 日期:2021-04-02 11:02:42

在整個(gè)2021年自然年,DRAM需求不斷上升的趨勢(shì)會(huì)持續(xù)下去。預(yù)計(jì) 2021年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到5020億美元,增幅為12%。其中以DRAM和Nand Flash為代表的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品市場規(guī)模為1460億美元,增長達(dá)19%。盡管我們已經(jīng)為應(yīng)對(duì)需求增長的趨勢(shì)投入了非常多的資源,但DRAM市場未來幾年內(nèi)仍將維持供不應(yīng)求的局面。
 
科技正在加速發(fā)展,突如其來的新冠疫情加速了企業(yè)和消費(fèi)者對(duì)數(shù)字技術(shù)的采用,云端和設(shè)備端市場的旺盛需求直接推動(dòng)了DRAM產(chǎn)品的大幅增長。以5G智能手機(jī)為例,Sadana預(yù)計(jì),2021年5G智能手機(jī)的出貨量會(huì)是2020年的兩倍,達(dá)到5億部。
 
缺貨漲價(jià)將成為常態(tài)
半導(dǎo)體行業(yè)供需嚴(yán)重失衡已經(jīng)對(duì)不少公司的運(yùn)營產(chǎn)生了影響。在面對(duì)芯片供應(yīng)不足問題時(shí),積極地配合客戶,通過合理分配產(chǎn)能來滿足他們的需求;另一方面也在與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈協(xié)作,希望在短期和中期擴(kuò)大供應(yīng),解決晶圓代工產(chǎn)能不足的問題。
 
為了適應(yīng)數(shù)據(jù)不斷增長的趨勢(shì),2021年會(huì)有很多數(shù)據(jù)中心開始采用NVMe/SSD產(chǎn)品。而由于Nand Flash價(jià)格不斷下跌,目前全球有高達(dá)90%以上的輕薄或是企業(yè)級(jí)筆記本電腦搭載了SSD,在PlayStation/XBox游戲主機(jī)中同樣如此。未來,SSD全面取代硬盤將成為不可逆轉(zhuǎn)的趨勢(shì)。
 
從64GB到現(xiàn)在的256GB,智能手機(jī)對(duì)Nand Flash的需求也在急速增長。與此同時(shí)考慮到所有進(jìn)入手機(jī)的DRAM當(dāng)中,有將近60%是和Nand Flash封裝在一起的,所以能夠帶來更低功耗,更強(qiáng)性能的多芯片封裝將成為趨勢(shì)。
 
下一個(gè)十年,內(nèi)存與存儲(chǔ)技術(shù)在汽車領(lǐng)域的成長會(huì)是最快的,我們看到汽車行業(yè)增加了他們的需求。認(rèn)為就像蘋果改寫了手機(jī)行業(yè)一樣,特斯拉也顛覆了人們對(duì)電動(dòng)汽車的想象,電動(dòng)汽車的成長可能會(huì)超出預(yù)期。汽車數(shù)字化和電動(dòng)化的發(fā)展趨勢(shì)非常顯著,未來軟件定義汽車將成為汽車開發(fā)的核心,車載娛樂系統(tǒng)、輔助駕駛等新興功能不但對(duì)計(jì)算處理能力提出需求,對(duì)DRAM和Nand Flash也是如此。


關(guān)鍵詞:DRAM


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