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EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算
本篇文章存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子要介紹的是非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與Flash消耗能量計(jì)算。首先，我們來看看非易失性存儲(chǔ)器在典型的3 3V EEPRO
2020-09-07
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MRAM與常用計(jì)算機(jī)內(nèi)存的性能比較
四種內(nèi)存只有MRAM能同時(shí)滿足計(jì)算機(jī)內(nèi)存的四項(xiàng)要求:非易失性、隨機(jī)存取速率高、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度高以及耗電功率低等。
2020-09-04
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串行MRAM消耗的能量
MR25H256是一個(gè)串行MRAM，具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時(shí)鐘（SCK）的四針接口在邏輯
2020-09-03
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汽車應(yīng)用中具有耐久性的賽普拉斯NOR閃存Semper系列
賽普拉斯NOR閃存首款經(jīng)過架構(gòu)設(shè)計(jì)并滿足汽車行業(yè)用于構(gòu)建故障安全嵌入式汽車系統(tǒng)的ISO26262功能安全標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)器。在汽車應(yīng)用中常見的極端
2020-09-02
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SRAM的基礎(chǔ)模塊存有三種情況
SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)
2020-09-01
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從三個(gè)層面認(rèn)識(shí)SRAM存儲(chǔ)器
大家都了解，CPU是負(fù)責(zé)計(jì)算和處理的，而存儲(chǔ)器則是負(fù)責(zé)互換數(shù)據(jù)信息的。有些人是那么形容的，說CPU便是技術(shù)工程師自己，運(yùn)行內(nèi)存就好像操作
2020-08-31
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