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EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算
本篇文章存儲芯片供應(yīng)商宇芯電子要介紹的是非易失性存儲器EEPROM與Flash消耗能量計(jì)算。首先，我們來看看非易失性存儲器在典型的3 3V EEPRO
2020-09-07
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串行MRAM消耗的能量
MR25H256是一個串行MRAM，具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四針接口在邏輯
2020-09-03
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SRAM的基礎(chǔ)模塊存有三種情況
SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)
2020-09-01
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Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)如何工作
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，主要是設(shè)計(jì)和制造MRAM、STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin所生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品包括40nm，28nm
2020-08-28
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Everspin MRAM MR2xH40xDF可替換CY15B104QN
Everspin器件是一個40MHz 50MHzMRAM，工作于2 7V-3 6V，標(biāo)稱Vdd=3 3V，而SPIFRAM具有更寬的工作電壓范圍（1 8V至3 6V）。在使用SPI-MRAM替
2020-08-26
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NOR閃存開始汽車領(lǐng)域的發(fā)展
隨著汽車變得越來越智能，并需要更多的存儲空間，很多技術(shù)都在為駕駛員的座位而折騰，但是可以肯定地說，NOR閃光燈至少可以使用shot彈槍。
2020-08-24
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