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非易失性MRAM讀寫操作
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0 0456平方微米，讀取速度為10
2020-07-01
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非易失性存儲(chǔ)器MRAM的兩大優(yōu)點(diǎn)
新式存儲(chǔ)器技術(shù)隊(duì)伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技術(shù)、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵突破，正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上，眼前我們正處于見證存儲(chǔ)器歷
2020-06-29
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汽車導(dǎo)航系統(tǒng)應(yīng)用富士通FRAM鐵電存儲(chǔ)器MB85R2001
MB85R2001是一種富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存儲(chǔ)單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù)
2020-06-24
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國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)亞百納米ST-MRAM存儲(chǔ)器件制備
STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在STT-MRAM器件中，電子的自旋使用自旋極化電流翻轉(zhuǎn)。這種效果是在磁性隧道結(jié)（MTJ）或自旋閥中實(shí)現(xiàn)的，STT-MRAM設(shè)備使用STT隧道結(jié)（STT-MTJ）。
2020-06-22
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不同類別存儲(chǔ)器基本原理
存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器分SRAM和DRAM；非易失性存儲(chǔ)器以Nor-flash和Nand-flash為典型代表。
2020-06-18
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串口SRAM和并口SRAM的區(qū)別
首先來看一下并口和串口的區(qū)別：引腳的區(qū)別：并口SRAM引腳很多，串口SRAM引腳很少。大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有少部分奇葩是
2020-06-16
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