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低功耗SRAM主要三部分功耗來源
隨著SOC 技術(shù)的迅猛發(fā)展，由電池供電的便攜式電子產(chǎn)品得到了廣泛應(yīng)用，如智能手機、運動手環(huán)、ipad、部分汽車電子等。近年來半導(dǎo)體工藝已
2020-05-27
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ISSI具有糾錯功能的Async SRAM
近年來，對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車，通信和數(shù)字消費，工業(yè)及醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量，以幫助處
2020-05-26
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SRAM市場與技術(shù)
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此 SRAM與通常的
2020-05-22
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MRAM緩存可行性比SRAM更高
隨著制程邁向5nm甚至3nm，半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進技術(shù)節(jié)點處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗，STT-MRAM存儲器已成
2020-05-20
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采用分級字線結(jié)構(gòu)可提高SRAM讀寫速度及降低電路動態(tài)功耗
采用分級字線結(jié)構(gòu)的存儲器將整個存儲陣列劃分為若干個相同的子陣列。與非分級字線結(jié)構(gòu)相比，它需要采用多級的字線譯碼才能完成對存儲單元的
2020-05-18
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半導(dǎo)體SRAM存儲器綜述
最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價格的優(yōu)點，已成為了生產(chǎn)最多的用
2020-05-14
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